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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxMBRT300200
GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MBRT300200 - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MBRT300200
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MBRT300200
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER
Description détaillée
Emballage
Three Tower
Fiche technique
MBRT300150 thru MBRT300200R.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 373

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MBRT300200
GeneSiC Semiconductor - MBRT300200 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - MBRT300200

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 920 mV @ 150 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur Three Tower  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte Three Tower  
Emballer Bulk  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Chassis Mount  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 1 mA @ 200 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 150A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor MBRT300200

Attributs du produit MBRT300200 MBRT30045 MBRT200100 MBRT200200
Modèle de produit MBRT300200 MBRT30045 MBRT200100 MBRT200200
Fabricant GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Séries - - - -
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 150A 150A 100A 100A
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 920 mV @ 150 A 750 mV @ 150 A 880 mV @ 100 A 920 mV @ 100 A
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V 45 V 100 V 200 V
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Courant - fuite, inverse à Vr 1 mA @ 200 V 1 mA @ 20 V 1 mA @ 20 V 1 mA @ 200 V
Package composant fournisseur Three Tower Three Tower Three Tower Three Tower
Package / Boîte Three Tower Three Tower Three Tower Three Tower

Fiche technique MBRT300200 PDF

Téléchargez MBRT300200 PDF DataSheets et Documentation GeneSiC Semiconductor pour MBRT300200 - GeneSiC Semiconductor.

Feuilles de données
MBRT300150 thru MBRT300200R.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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