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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxMBRT200100
GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MBRT200100 - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MBRT200100
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MBRT200100
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER
Description détaillée
Emballage
Three Tower
Fiche technique
MBRT20045 thru MBRT200100R.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 420

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MBRT200100
GeneSiC Semiconductor - MBRT200100 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - MBRT200100

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 880 mV @ 100 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur Three Tower  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte Three Tower  
Emballer Bulk  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Chassis Mount  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 1 mA @ 20 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 100A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor MBRT200100

Attributs du produit MBRT200100 MBRT12040 MBRS6040CT MBRT300200
Modèle de produit MBRT200100 MBRT12040 MBRS6040CT MBRT300200
Fabricant GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor Taiwan Semiconductor Corporation GeneSiC Semiconductor
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 880 mV @ 100 A 750 mV @ 60 A 1.05 V @ 60 A 920 mV @ 150 A
Courant - fuite, inverse à Vr 1 mA @ 20 V 1 mA @ 20 V 100 µA @ 40 V 1 mA @ 200 V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 100A 60A 60A 150A
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Séries - - - -
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Package composant fournisseur Three Tower Three Tower TO-263AB (D²PAK) Three Tower
Package / Boîte Three Tower Three Tower TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Three Tower
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V 40 V 40 V 200 V
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Surface Mount Chassis Mount

Fiche technique MBRT200100 PDF

Téléchargez MBRT200100 PDF DataSheets et Documentation GeneSiC Semiconductor pour MBRT200100 - GeneSiC Semiconductor.

Feuilles de données
MBRT20045 thru MBRT200100R.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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