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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxMBRT400150
GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MBRT400150 - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MBRT400150
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MBRT400150
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 150V 200A 3 TOWER
Description détaillée
Emballage
Three Tower
Fiche technique
MBRT400150 thru MBRT400200R.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 360

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MBRT400150
GeneSiC Semiconductor - MBRT400150 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - MBRT400150

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 880 mV @ 200 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 150 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur Three Tower  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte Three Tower  
Emballer Bulk  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Chassis Mount  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 1 mA @ 150 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 200A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor MBRT400150

Attributs du produit MBRT400150 MBRT30060 MBRT40045 MBRT30035
Modèle de produit MBRT400150 MBRT30060 MBRT40045 MBRT30035
Fabricant GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Package / Boîte Three Tower Three Tower Three Tower Three Tower
Courant - fuite, inverse à Vr 1 mA @ 150 V 1 mA @ 20 V 1 mA @ 20 V 1 mA @ 20 V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 200A 150A 200A 150A
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 880 mV @ 200 A 800 mV @ 150 A 750 mV @ 200 A 750 mV @ 150 A
Séries - - - -
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Package composant fournisseur Three Tower Three Tower Three Tower Three Tower
Tension - inverse (Vr) (max) 150 V 60 V 45 V 35 V
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Fiche technique MBRT400150 PDF

Téléchargez MBRT400150 PDF DataSheets et Documentation GeneSiC Semiconductor pour MBRT400150 - GeneSiC Semiconductor.

Feuilles de données
MBRT400150 thru MBRT400200R.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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