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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxMBRT12080
GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MBRT12080 - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MBRT12080
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MBRT12080
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE MODULE 80V 60A 3TOWER
Description détaillée
Emballage
Three Tower
Fiche technique
MBRT12045 thru MBRT120100R.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 507

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MBRT12080
GeneSiC Semiconductor - MBRT12080 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - MBRT12080

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 880 mV @ 60 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 80 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur Three Tower  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte Three Tower  
Emballer Bulk  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Chassis Mount  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 1 mA @ 20 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 60A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor MBRT12080

Attributs du produit MBRT12080 MBRT12040 MBRT20080 MBRT300150
Modèle de produit MBRT12080 MBRT12040 MBRT20080 MBRT300150
Fabricant GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Courant - fuite, inverse à Vr 1 mA @ 20 V 1 mA @ 20 V 1 mA @ 20 V 1 mA @ 150 V
Tension - inverse (Vr) (max) 80 V 40 V 80 V 150 V
Package composant fournisseur Three Tower Three Tower Three Tower Three Tower
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 60A 60A 100A 150A
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 880 mV @ 60 A 750 mV @ 60 A 880 mV @ 100 A 880 mV @ 150 A
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Séries - - - -
Package / Boîte Three Tower Three Tower Three Tower Three Tower
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C

Fiche technique MBRT12080 PDF

Téléchargez MBRT12080 PDF DataSheets et Documentation GeneSiC Semiconductor pour MBRT12080 - GeneSiC Semiconductor.

Feuilles de données
MBRT12045 thru MBRT120100R.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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