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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDP7060
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDP7060 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
NDP7060
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-NDP7060
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
NDP7060.pdf
En stock: 5170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDP7060
Fairchild Semiconductor - NDP7060 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - NDP7060

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor NDP7060

Attributs du produit NDP7060 NDP7061 NDP6060L NDP7061
Modèle de produit NDP7060 NDP7061 NDP6060L NDP7061
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 130W (Tc) 100W (Tc) 130W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 64A (Tc) 48A (Tc) 64A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 5V, 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Emballer Bulk Tube Bulk Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 60 nC @ 5 V 100 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 40A, 10V 16mOhm @ 35A, 10V 20mOhm @ 24A, 10V 16mOhm @ 35A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 1930 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V 1930 pF @ 25 V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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