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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDP6060L
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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NDP6060L - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
NDP6060L
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-NDP6060L
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
NDP6060L.pdf
Notre certification
En stock: 4140

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques NDP6060L
Fairchild Semiconductor - NDP6060L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - NDP6060L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 24A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 48A (Tc)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor NDP6060L

Attributs du produit NDP6060L NDP7050 NDP7050 NDP6060
Modèle de produit NDP6060L NDP7050 NDP7050 NDP6060
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc) 100W (Tc)
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V 115 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Séries - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 48A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 48A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Emballer Bulk Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 50 V 50 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 24A, 10V 13mOhm @ 40A, 10V 13mOhm @ 40A, 10V 25mOhm @ 24A, 10V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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Contactez nous si vous avez des questions.

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