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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDP7061
NDP7061 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDP7061 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NDP7061
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NDP7061
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 64A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
NDP7061, NDB7061.pdf
En stock: 5490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDP7061
onsemi - NDP7061 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NDP7061

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 35A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 130W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1930 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc)  
Numéro de produit de base NDP706  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NDP7061

Attributs du produit NDP7061 NDP7050 NDP7060 NDP6060L
Modèle de produit NDP7061 NDP7050 NDP7060 NDP6060L
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 60 nC @ 5 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 50 V 60 V 60 V
Dissipation de puissance (max) 130W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc) 100W (Tc)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±16V
Emballer Tube Tube Bulk Bulk
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Numéro de produit de base NDP706 - - -
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 35A, 10V 13mOhm @ 40A, 10V 13mOhm @ 40A, 10V 20mOhm @ 24A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1930 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V

Fiche technique NDP7061 PDF

Téléchargez NDP7061 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NDP7061 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf NDP7061, NDB7061.pdf

Mode de transport

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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Contactez nous si vous avez des questions.

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    +00852 9146 4856

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NDP7061

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