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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDP6060L
NDP6060L Image
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NDP6060L - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NDP6060L
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NDP6060L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
NDP6060L, NDB6060L.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 26695

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Quantité
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Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques NDP6060L
onsemi - NDP6060L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NDP6060L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 24A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 48A (Tc)  
Numéro de produit de base NDP6060  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) Not Applicable
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NDP6060L

Attributs du produit NDP6060L NDP6060 NDP7050 NDP7050
Modèle de produit NDP6060L NDP6060 NDP7050 NDP7050
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc) 100W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 48A (Tc) 48A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V 70 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Numéro de produit de base NDP6060 NDP606 NDP705 -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 50 V 50 V
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Séries - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 24A, 10V 25mOhm @ 24A, 10V 13mOhm @ 40A, 10V 13mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube

Fiche technique NDP6060L PDF

Téléchargez NDP6060L PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NDP6060L - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf NDP6060L, NDB6060L.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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