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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDP6060
NDP6060 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDP6060 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NDP6060
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NDP6060
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
NDP6060, NDB6060.pdf
État RoHS
En stock: 33742

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDP6060
onsemi - NDP6060 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NDP6060

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 24A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 48A (Tc)  
Numéro de produit de base NDP606  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NDP6060

Attributs du produit NDP6060 NDP603AL NDP7050 NDP6060L
Modèle de produit NDP6060 NDP603AL NDP7050 NDP6060L
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V 1100 pF @ 15 V 3600 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V
Numéro de produit de base NDP606 NDP603 NDP705 NDP6060
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 48A (Tc) 25A (Tc) 75A (Tc) 48A (Tc)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 24A, 10V 22mOhm @ 25A, 10V 13mOhm @ 40A, 10V 20mOhm @ 24A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 60 nC @ 5 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc) 50W (Tc) 150W (Tc) 100W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V 50 V 60 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±16V

Fiche technique NDP6060 PDF

Téléchargez NDP6060 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NDP6060 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf NDP6060, NDB6060.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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