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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxNDH8304P
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDH8304P - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
NDH8304P
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-NDH8304P
Modèle ECAD
Description des pièces
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
Description détaillée
Emballage
8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Fiche technique
NDH8304P.pdf
État RoHS
En stock: 54900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDH8304P
Fairchild Semiconductor - NDH8304P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - NDH8304P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SuperSOT™-8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2.7A, 4.5V  
Puissance - Max 800mW  
Package / Boîte 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base NDH8304  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor NDH8304P

Attributs du produit NDH8304P IRF9952PBF SQ9945AEY-T1-E3 NDH8502P
Modèle de produit NDH8304P IRF9952PBF SQ9945AEY-T1-E3 NDH8502P
Fabricant Fairchild Semiconductor Infineon Technologies Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor
Package composant fournisseur SuperSOT™-8 8-SO 8-SOIC SuperSOT™-8
Package / Boîte 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Puissance - Max 800mW 2W 2.4W 800mW (Ta)
Séries - HEXFET® TrenchFET® -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2.7A, 4.5V 100mOhm @ 2.2A, 10V 80mOhm @ 3.7A, 10V 110mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base NDH8304 IRF995 SQ9945 NDH8502
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 10V 190pF @ 15V - 340pF @ 15V
Tension drain-source (Vdss) 20V 30V 60V 30V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Configuration 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A 3.5A, 2.3A 3.7A 2.2A (Ta)
Emballer Bulk Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 4.5V 14nC @ 10V 20nC @ 10V 14.5nC @ 10V

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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