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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF9952PBF
IRF9952PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF9952PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF9952PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF9952PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF9952PBF.pdf
État RoHS
En stock: 4920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF9952PBF
Infineon Technologies - IRF9952PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF9952PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A, 2.3A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base IRF995  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF9952PBF

Attributs du produit IRF9952PBF IRF9910 IRF9910TRPBF IRF9953TR
Modèle de produit IRF9952PBF IRF9910 IRF9910TRPBF IRF9953TR
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 30V 20V 20V 30V
Numéro de produit de base IRF995 IRF99 IRF99 IRF995
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V 11nC @ 4.5V 11nC @ 4.5V 12nC @ 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A, 2.3A 10A, 12A 10A, 12A 2.3A
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configuration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.55V @ 250µA 2.55V @ 250µA 1V @ 250µA
Puissance - Max 2W 2W 2W 2W
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V 13.4mOhm @ 10A, 10V 9.3mOhm @ 12A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V 900pF @ 10V 900pF @ 10V 190pF @ 15V

Fiche technique IRF9952PBF PDF

Téléchargez IRF9952PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF9952PBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Modification de l'état de la pièce PCN
Pkg Type Disc 16/May/2016.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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