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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleHGT1S7N60A4DS
HGT1S7N60A4DS Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HGT1S7N60A4DS - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HGT1S7N60A4DS
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HGT1S7N60A4DS
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 34A 125W TO263AB
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
HGT(G,P)7N60A4D, HGT1S7N60A4DS.pdf
En stock: 3640

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Spécifications

Spécifications techniques HGT1S7N60A4DS
onsemi - HGT1S7N60A4DS Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HGT1S7N60A4DS

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A  
Condition de test 390V, 7A, 25Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 11ns/100ns  
énergie de commutation 55µJ (on), 60µJ (off)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 34 ns  
Puissance - Max 125 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 37 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 56 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 34 A  
Numéro de produit de base HGT1S7N60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HGT1S7N60A4DS

Attributs du produit HGT1S7N60A4DS HGT1S7N60A4DS9A HGT1S3N60A4DS9A HGT1S7N60C3DS9A
Modèle de produit HGT1S7N60A4DS HGT1S7N60A4DS9A HGT1S3N60A4DS9A HGT1S7N60C3DS9A
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Temps de recouvrement inverse (trr) 34 ns 34 ns 29 ns 37 ns
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 56 A 56 A 40 A 56 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 600 V 600 V 600 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
énergie de commutation 55µJ (on), 60µJ (off) 120µJ (on), 60µJ (off) 37µJ (on), 25µJ (off) 165µJ (on), 600µJ (off)
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) TO-263AB D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Emballer Tube Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Puissance - Max 125 W 125 W 70 W 60 W
Condition de test 390V, 7A, 25Ohm, 15V 390V, 7A, 25Ohm, 15V 390V, 3A, 50Ohm, 15V 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A 2.7V @ 15V, 7A 2.7V @ 15V, 3A 2V @ 15V, 7A
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 11ns/100ns 11ns/100ns 6ns/73ns -
gate charge 37 nC 60 nC 21 nC 23 nC
type de IGBT - - - -
Séries - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Numéro de produit de base HGT1S7N60 - HGT1S3N60 HGT1S7N60
Courant - Collecteur (Ic) (max) 34 A 34 A 17 A 14 A

Fiche technique HGT1S7N60A4DS PDF

Téléchargez HGT1S7N60A4DS PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HGT1S7N60A4DS - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
HGT(G,P)7N60A4D, HGT1S7N60A4DS.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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HGT1S7N60A4DS

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32D-HGT1S7N60A4DS

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