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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQPF7N65C
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQPF7N65C - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FQPF7N65C
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FQPF7N65C
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FQPF7N65C.pdf
En stock: 4220

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQPF7N65C
Fairchild Semiconductor - FQPF7N65C Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FQPF7N65C

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 3.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 52W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1245 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc)  
Numéro de produit de base FQPF7  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FQPF7N65C

Attributs du produit FQPF7N65C FQPF7P06 FQPF7N60 FQPF7N80C
Modèle de produit FQPF7N65C FQPF7P06 FQPF7N60 FQPF7N80C
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc) 5.3A (Tc) 4.3A (Tc) 6.6A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 52W (Tc) 24W (Tc) 48W (Tc) 56W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 3.5A, 10V 410mOhm @ 2.65A, 10V 1Ohm @ 2.2A, 10V 1.9Ohm @ 3.3A, 10V
Séries - QFET® QFET® QFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1245 pF @ 25 V 295 pF @ 25 V 1430 pF @ 25 V 1680 pF @ 25 V
Emballer Bulk Tube Bulk Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-220F TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Tension drain-source (Vdss) 650 V 60 V 600 V 800 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base FQPF7 - - FQPF7
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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