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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQPF7P06
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQPF7P06 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FQPF7P06
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FQPF7P06
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FQPF7P06.pdf
État RoHS
En stock: 102400

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQPF7P06
Fairchild Semiconductor - FQPF7P06 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FQPF7P06

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 410mOhm @ 2.65A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 24W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 295 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.3A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FQPF7P06

Attributs du produit FQPF7P06 FQPF7N65C FQPF7P20 FQPF7N80C
Modèle de produit FQPF7P06 FQPF7N65C FQPF7P20 FQPF7N80C
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 295 pF @ 25 V 1245 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V 1680 pF @ 25 V
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Dissipation de puissance (max) 24W (Tc) 52W (Tc) 45W (Tc) 56W (Tc)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.3A (Tc) 7A (Tc) 5.2A (Tc) 6.6A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 650 V 200 V 800 V
Séries QFET® - QFET® QFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tube Bulk
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 410mOhm @ 2.65A, 10V 1.4Ohm @ 3.5A, 10V 690mOhm @ 2.6A, 10V 1.9Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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