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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQPF7N20
FQPF7N20 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQPF7N20 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQPF7N20
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQPF7N20
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 4.8A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FQPF7N20.pdf
En stock: 4780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQPF7N20
onsemi - FQPF7N20 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQPF7N20

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 2.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 37W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.8A (Tc)  
Numéro de produit de base FQPF7  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQPF7N20

Attributs du produit FQPF7N20 FQPF70N10 FQPF7N65C FQPF7N80C
Modèle de produit FQPF7N20 FQPF70N10 FQPF7N65C FQPF7N80C
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F TO-220F-3
Emballer Tube Tube Bulk Bulk
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Séries QFET® QFET® - QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 2.4A, 10V 23mOhm @ 17.5A, 10V 1.4Ohm @ 3.5A, 10V 1.9Ohm @ 3.3A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 200 V 100 V 650 V 800 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.8A (Tc) 35A (Tc) 7A (Tc) 6.6A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Dissipation de puissance (max) 37W (Tc) 62W (Tc) 52W (Tc) 56W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 1245 pF @ 25 V 1680 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Numéro de produit de base FQPF7 FQPF70 FQPF7 -

Fiche technique FQPF7N20 PDF

Téléchargez FQPF7N20 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQPF7N20 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQPF7N20.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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