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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQP4N90
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQP4N90 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FQP4N90
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FQP4N90
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
FQP4N90.pdf
État RoHS
En stock: 18203

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQP4N90
Fairchild Semiconductor - FQP4N90 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FQP4N90

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 2.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.2A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FQP4N90

Attributs du produit FQP4N90 FQP50N06 FQP50N06L FQP4P25
Modèle de produit FQP4N90 FQP50N06 FQP50N06L FQP4P25
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Emballer Bulk Tube Bulk Tube
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 120W (Tc) 121W (Tc) 75W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±20V ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 2.1A, 10V 22mOhm @ 25A, 10V 21mOhm @ 26.2A, 10V 2.1Ohm @ 2A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 5V, 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 900 V 60 V 60 V 250 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.2A (Tc) 50A (Tc) 52.4A (Tc) 4A (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V 14 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 1540 pF @ 25 V 1630 pF @ 25 V 420 pF @ 25 V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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