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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQP4N90
FQP4N90 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQP4N90 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQP4N90
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQP4N90
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP4N90.pdf
En stock: 5120

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQP4N90
onsemi - FQP4N90 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQP4N90

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 2.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.2A (Tc)  
Numéro de produit de base FQP4  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQP4N90

Attributs du produit FQP4N90 FQP4N60 FQP4N50 FQP4N80
Modèle de produit FQP4N90 FQP4N60 FQP4N50 FQP4N80
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 900 V 600 V 500 V 800 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.2A (Tc) 4.4A (Tc) 3.4A (Tc) 3.9A (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 106W (Tc) 70W (Tc) 130W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Bulk Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 2.1A, 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 2.7Ohm @ 1.7A, 10V 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Numéro de produit de base FQP4 FQP4 FQP4 FQP4

Fiche technique FQP4N90 PDF

Téléchargez FQP4N90 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQP4N90 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP4N90.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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