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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQP4P25
FQP4P25 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQP4P25 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQP4P25
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQP4P25
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 250V 4A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP4P25.pdf
En stock: 5270

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQP4P25
onsemi - FQP4P25 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQP4P25

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1Ohm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)  
Numéro de produit de base FQP4  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQP4P25

Attributs du produit FQP4P25 FQP4N90C FQP50N06L FQP50N06L
Modèle de produit FQP4P25 FQP4N90C FQP50N06L FQP50N06L
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 5V, 10V 5V, 10V
Numéro de produit de base FQP4 FQP4 FQP50 -
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1Ohm @ 2A, 10V 4.2Ohm @ 2A, 10V 21mOhm @ 26.2A, 10V 21mOhm @ 26.2A, 10V
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 250 V 900 V 60 V 60 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V 32 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V 960 pF @ 25 V 1630 pF @ 25 V 1630 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc) 140W (Tc) 121W (Tc) 121W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc) 4A (Tc) 52.4A (Tc) 52.4A (Tc)

Fiche technique FQP4P25 PDF

Téléchargez FQP4P25 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQP4P25 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP4P25.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-FQP4P25

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