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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDP33N25
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDP33N25 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDP33N25
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDP33N25
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETT
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
FDP33N25 Datasheet.pdf
En stock: 4670

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDP33N25
Fairchild Semiconductor - FDP33N25 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDP33N25

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94mOhm @ 16.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 235W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2135 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDP33N25

Attributs du produit FDP33N25 FDP3651U FDP2D3N10C FDP3205
Modèle de produit FDP33N25 FDP3651U FDP2D3N10C FDP3205
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc) 80A (Tc) 222A (Tc) 100A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 700µA 5.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2135 pF @ 25 V 5522 pF @ 25 V 11180 pF @ 50 V 7730 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94mOhm @ 16.5A, 10V 18mOhm @ 80A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 7.5mOhm @ 59A, 10V
Dissipation de puissance (max) 235W (Tc) 255W (Tc) 214W (Tc) 150W (Tc)
Emballer Bulk Bulk Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries UniFET™ PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 250 V 100 V 100 V 55 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique FDP33N25 PDF

Téléchargez FDP33N25 PDF DataSheets et Documentation Fairchild Semiconductor pour FDP33N25 - Fairchild Semiconductor.

Feuilles de données
FDP33N25 Datasheet.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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