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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDP3632
FDP3632 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDP3632 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDP3632
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDP3632
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDB3632, FDH3632, FDP3632.pdf
État RoHS
En stock: 25900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDP3632
onsemi - FDP3632 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDP3632

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 80A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Ta), 80A (Tc)  
Numéro de produit de base FDP36  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDP3632

Attributs du produit FDP3632 FDP2D3N10C FDP3652 FDP3205
Modèle de produit FDP3632 FDP2D3N10C FDP3652 FDP3205
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 10V 6V, 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 55 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 80A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 16mOhm @ 61A, 10V 7.5mOhm @ 59A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Ta), 80A (Tc) 222A (Tc) 9A (Ta), 61A (Tc) 100A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base FDP36 FDP2D3 FDP36 -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 700µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V 11180 pF @ 50 V 2880 pF @ 25 V 7730 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc) 214W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

Fiche technique FDP3632 PDF

Téléchargez FDP3632 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDP3632 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDB3632, FDH3632, FDP3632.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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