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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDP2D3N10C
FDP2D3N10C Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDP2D3N10C - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDP2D3N10C
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDP2D3N10C
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
FDP2D3N10C, FDPF2D3N10C.pdf
État RoHS
En stock: 13329

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDP2D3N10C
onsemi - FDP2D3N10C Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDP2D3N10C

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 700µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 214W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11180 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 222A (Tc)  
Numéro de produit de base FDP2D3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDP2D3N10C

Attributs du produit FDP2D3N10C FDP3205 FDP26N40 FDP2670
Modèle de produit FDP2D3N10C FDP3205 FDP26N40 FDP2670
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 222A (Tc) 100A (Tc) 26A (Tc) 19A (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base FDP2D3 - FDP26 -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 700µA 5.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 55 V 400 V 200 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V 7.5mOhm @ 59A, 10V 160mOhm @ 13A, 10V 130mOhm @ 10A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11180 pF @ 50 V 7730 pF @ 25 V 3185 pF @ 25 V 1320 pF @ 100 V
Séries PowerTrench® PowerTrench® UniFET™ PowerTrench®
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 214W (Tc) 150W (Tc) 265W (Tc) 93W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique FDP2D3N10C PDF

Téléchargez FDP2D3N10C PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDP2D3N10C - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T 17/Jun/2021.pdf
Feuilles de données
FDP2D3N10C, FDPF2D3N10C.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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FDP2D3N10C

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