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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDME510PZT
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDME510PZT - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDME510PZT
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDME510PZT
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 6A MICROFET
Description détaillée
Emballage
6-PowerUFDFN
Fiche technique
FDME510PZT.pdf
État RoHS
En stock: 110720

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDME510PZT
onsemi - FDME510PZT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDME510PZT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur MicroFet 1.6x1.6 Thin  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 6A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta)  
Package / Boîte 6-PowerUFDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta)  
Numéro de produit de base FDME510  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDME510PZT

Attributs du produit FDME510PZT FDME820NZT FDME430NT FDME820NZT
Modèle de produit FDME510PZT FDME820NZT FDME430NT FDME820NZT
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 20 V
Vgs (Max) ±8V ±12V ±12V ±12V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 8.5 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V 8.5 nC @ 4.5 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V - 1.8V, 4.5V
Numéro de produit de base FDME510 - - FDME820
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 10 V 865 pF @ 10 V 760 pF @ 15 V 865 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 6A, 4.5V 18mOhm @ 9A, 4.5V 40mOhm @ 6A, 4.5V 18mOhm @ 9A, 4.5V
Package composant fournisseur MicroFet 1.6x1.6 Thin MicroFet 1.6x1.6 Thin MicroFet 1.6x1.6 Thin MicroFet 1.6x1.6 Thin
Package / Boîte 6-PowerUFDFN 6-PowerUFDFN 6-PowerUFDFN 6-PowerUFDFN
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta) 2.1W (Ta) 700mW (Ta) 2.1W (Ta)
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta) 9A (Ta) 6A (Ta) 9A (Ta)

Fiche technique FDME510PZT PDF

Téléchargez FDME510PZT PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDME510PZT - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Feuilles de données
FDME510PZT.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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