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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCH170N60
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCH170N60 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FCH170N60
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FCH170N60
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
FCH170N60.pdf
En stock: 10564

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCH170N60
Fairchild Semiconductor - FCH170N60 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FCH170N60

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247  
Séries SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 227W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2860 pF @ 380 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FCH170N60

Attributs du produit FCH170N60 FCH165N60E FCH150N65F-F155 FCH165N65S3R0-F155
Modèle de produit FCH170N60 FCH165N60E FCH150N65F-F155 FCH165N65S3R0-F155
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 227W (Tc) 227W (Tc) 298W (Tc) 154W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 11A, 10V 165mOhm @ 11.5A, 10V 150mOhm @ 12A, 10V 165mOhm @ 9.5A, 10V
Emballer Bulk Tube Tube Tube
Séries SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® III
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2860 pF @ 380 V 2434 pF @ 380 V 3737 pF @ 100 V 1500 pF @ 400 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 5V @ 2.4mA 4.5V @ 1.9mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-247 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 650 V 650 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc) 23A (Tc) 24A (Tc) 19A (Tc)

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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