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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCH150N65F-F155
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCH150N65F-F155 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCH150N65F-F155
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCH150N65F-F155
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
FCH150N65F.pdf
État RoHS
En stock: 9404

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCH150N65F-F155
onsemi - FCH150N65F-F155 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCH150N65F-F155

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 298W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3737 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc)  
Numéro de produit de base FCH150  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCH150N65F-F155

Attributs du produit FCH150N65F-F155 FCH110N65F-F155 FCH190N65F-F155 FCH150N65F-F155
Modèle de produit FCH150N65F-F155 FCH110N65F-F155 FCH190N65F-F155 FCH150N65F-F155
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc) 35A (Tc) 20.6A (Tc) 24A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base FCH150 FCH110 FCH190 FCH150
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.4mA 5V @ 3.5mA 5V @ 2mA 5V @ 2.4mA
Séries SuperFET® II FRFET®, SuperFET® II FRFET®, SuperFET® II SuperFET® II
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247 Long Leads
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 298W (Tc) 357W (Tc) 208W (Tc) 298W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V 110mOhm @ 17.5A, 10V 190mOhm @ 10A, 10V 150mOhm @ 12A, 10V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tension drain-source (Vdss) 650 V 650 V 650 V 650 V
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3737 pF @ 100 V 4895 pF @ 100 V 3225 pF @ 100 V 3737 pF @ 100 V

Fiche technique FCH150N65F-F155 PDF

Téléchargez FCH150N65F-F155 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCH150N65F-F155 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Numéro de pièce PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Source Add 5/Aug/2022.pdf
Feuilles de données
FCH150N65F.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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