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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCH165N65S3R0-F155
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCH165N65S3R0-F155 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCH165N65S3R0-F155
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCH165N65S3R0-F155
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
FCH165N65S3R0-F155.pdf
État RoHS
En stock: 9016

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCH165N65S3R0-F155
onsemi - FCH165N65S3R0-F155 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCH165N65S3R0-F155

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.9mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 9.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 154W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Tc)  
Numéro de produit de base FCH165  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCH165N65S3R0-F155

Attributs du produit FCH165N65S3R0-F155 FCH150N65F-F155 FCH150N65F-F155 FCH130N60
Modèle de produit FCH165N65S3R0-F155 FCH150N65F-F155 FCH150N65F-F155 FCH130N60
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Dissipation de puissance (max) 154W (Tc) 298W (Tc) 298W (Tc) 278W (Tc)
Emballer Tube Tube Bulk Bulk
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 400 V 3737 pF @ 100 V 3737 pF @ 100 V 3590 pF @ 380 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247 Long Leads TO-247
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Tc) 24A (Tc) 24A (Tc) 28A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 9.5A, 10V 150mOhm @ 12A, 10V 150mOhm @ 12A, 10V 130mOhm @ 14A, 10V
Numéro de produit de base FCH165 FCH150 FCH150 -
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 650 V 650 V 650 V 600 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.9mA 5V @ 2.4mA 5V @ 2.4mA 3.5V @ 250µA
Séries SuperFET® III SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II

Fiche technique FCH165N65S3R0-F155 PDF

Téléchargez FCH165N65S3R0-F155 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCH165N65S3R0-F155 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
Emballage PCN
Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
FCH165N65S3R0-F155.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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