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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMPH4013SK3Q-13
DMPH4013SK3Q-13 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMPH4013SK3Q-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMPH4013SK3Q-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMPH4013SK3Q-13
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
DMPH4013SK3Q.pdf
État RoHS
En stock: 88780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMPH4013SK3Q-13
Diodes Incorporated - DMPH4013SK3Q-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMPH4013SK3Q-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4004 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 55A (Tc)  
Numéro de produit de base DMPH4013  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMPH4013SK3Q-13

Attributs du produit DMPH4013SK3Q-13 DMPH4015SSS-13 DMPH4029LFGQ-7 DMP6250SE-13
Modèle de produit DMPH4013SK3Q-13 DMPH4015SSS-13 DMPH4029LFGQ-7 DMP6250SE-13
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 55A (Tc) 11.4A (Ta) 8A (Ta), 22A (Tc) 2.1A (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 60 V
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta) 1.8W 1.2W (Ta) 1.8W (Ta), 14W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4004 pF @ 20 V 4234 pF @ 20 V 1626 pF @ 20 V 551 pF @ 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak) 8-SO PowerDI3333-8 SOT-223-3
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerVDFN TO-261-4, TO-261AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 10A, 10V 11mOhm @ 9.8A, 10V 29mOhm @ 3A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 9.7 nC @ 10 V
Numéro de produit de base DMPH4013 DMPH4015 DMPH4029 DMP6250
Séries Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 -

Fiche technique DMPH4013SK3Q-13 PDF

Téléchargez DMPH4013SK3Q-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMPH4013SK3Q-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Feuilles de données
DMPH4013SK3Q.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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