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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMPH4025SFVWQ-13
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMPH4025SFVWQ-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMPH4025SFVWQ-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMPH4025SFVWQ-13
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 40V PWRDI3333
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
DMPH4025SFVWQ-13.pdf
État RoHS
En stock: 150400

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMPH4025SFVWQ-13
Diodes Incorporated - DMPH4025SFVWQ-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMPH4025SFVWQ-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerDI3333-8 (SWP) Type UX  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta), 60W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount, Wettable Flank  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1918 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38.6 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.7A (Ta), 40A (Tc)  
Numéro de produit de base DMPH4025  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMPH4025SFVWQ-13

Attributs du produit DMPH4025SFVWQ-13 DMPH6023SK3Q-13 DMPH4015SSSQ-13 DMPH6050SFGQ-7
Modèle de produit DMPH4025SFVWQ-13 DMPH6023SK3Q-13 DMPH4015SSSQ-13 DMPH6050SFGQ-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base DMPH4025 DMPH6023 DMPH4015 DMPH6050
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 60 V 40 V 60 V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1918 pF @ 20 V 2569 pF @ 30 V 4234 pF @ 20 V 1293 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta), 60W (Tc) 3.2W 1.8W 1.2W (Ta)
Package / Boîte 8-PowerVDFN TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerVDFN
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
Type de montage Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.7A (Ta), 40A (Tc) 35A (Tc) 11.4A (Ta) 6.1A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 30A, 10V 33mOhm @ 10A, 10V 11mOhm @ 9.8A, 10V 50mOhm @ 7A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38.6 nC @ 10 V 53.1 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V 24.1 nC @ 10 V
Package composant fournisseur PowerDI3333-8 (SWP) Type UX TO-252, (D-Pak) 8-SO PowerDI3333-8

Fiche technique DMPH4025SFVWQ-13 PDF

Téléchargez DMPH4025SFVWQ-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMPH4025SFVWQ-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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