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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMP65H9D0HSS-13
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMP65H9D0HSS-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMP65H9D0HSS-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMP65H9D0HSS-13
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
DMP65H9D0HSS.pdf
En stock: 54690

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Spécifications

Spécifications techniques DMP65H9D0HSS-13
Diodes Incorporated - DMP65H9D0HSS-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMP65H9D0HSS-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9Ohm @ 300mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300mA (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMP65H9D0HSS-13

Attributs du produit DMP65H9D0HSS-13 DMP6250SE-13 DMP6350S-7 DMPH4013SK3Q-13
Modèle de produit DMP65H9D0HSS-13 DMP6250SE-13 DMP6350S-7 DMPH4013SK3Q-13
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tension drain-source (Vdss) 600 V 60 V 60 V 40 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300mA (Ta) 2.1A (Ta) 1.5A (Ta) 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9Ohm @ 300mA, 10V 250mOhm @ 1A, 10V 350mOhm @ 900mA, 10V 15mOhm @ 10A, 10V
Package composant fournisseur 8-SO SOT-223-3 SOT-23-3 TO-252, (D-Pak)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-261-4, TO-261AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta) 1.8W (Ta), 14W (Tc) 720mW (Ta) 2.1W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries - - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 25 V 551 pF @ 30 V 206 pF @ 30 V 4004 pF @ 20 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 9.7 nC @ 10 V 4.1 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V

Fiche technique DMP65H9D0HSS-13 PDF

Téléchargez DMP65H9D0HSS-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMP65H9D0HSS-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Feuilles de données
DMP65H9D0HSS.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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