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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxDMHC10H170SFJ-13
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMHC10H170SFJ-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMHC10H170SFJ-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMHC10H170SFJ-13
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
Description détaillée
Emballage
12-VDFN Exposed Pad
Fiche technique
DMHC10H170SFJ.pdf
État RoHS
En stock: 60330

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMHC10H170SFJ-13
Diodes Incorporated - DMHC10H170SFJ-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMHC10H170SFJ-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur V-DFN5045-12  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 5A, 10V  
Puissance - Max 2.1W  
Package / Boîte 12-VDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1167pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.7nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 100V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.9A, 2.3A  
Configuration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base DMHC10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMHC10H170SFJ-13

Attributs du produit DMHC10H170SFJ-13 IRFH4255DTRPBF SI4590DY-T1-GE3 FDME1023PZT
Modèle de produit DMHC10H170SFJ-13 IRFH4255DTRPBF SI4590DY-T1-GE3 FDME1023PZT
Fabricant Diodes Incorporated Infineon Technologies Vishay Siliconix onsemi
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.7nC @ 10V 15nC @ 4.5V 11.5nC @ 10V 7.7nC @ 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 5A, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V 57mOhm @ 2A, 10V 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Package / Boîte 12-VDFN Exposed Pad 8-PowerVDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-UFDFN Exposed Pad
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.9A, 2.3A 64A, 105A 3.4A, 2.8A 2.6A
Puissance - Max 2.1W 31W, 38W 2.4W, 3.4W 600mW
Package composant fournisseur V-DFN5045-12 PQFN (5x6) 8-SOIC 6-MicroFET (1.6x1.6)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.1V @ 35µA 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Numéro de produit de base DMHC10 IRFH4255 SI4590 FDME1023
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1167pF @ 25V 1314pF @ 13V 360pF @ 50V 405pF @ 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 100V 25V 100V 20V
Configuration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Séries - HEXFET® TrenchFET® PowerTrench®

Fiche technique DMHC10H170SFJ-13 PDF

Téléchargez DMHC10H170SFJ-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMHC10H170SFJ-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Feuilles de données
DMHC10H170SFJ.pdf

Mode de transport

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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