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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDG6320C
FDG6320C Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDG6320C - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDG6320C
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDG6320C
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 25V 220/140MA SC88
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
FDG6320C.pdf
État RoHS
En stock: 5450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDG6320C
onsemi - FDG6320C Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDG6320C

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-88 (SC-70-6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V  
Puissance - Max 300mW  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 25V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 220mA, 140mA  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base FDG6320  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDG6320C

Attributs du produit FDG6320C FDG6321C FDG6317NZ FDG6318PZ
Modèle de produit FDG6320C FDG6321C FDG6317NZ FDG6318PZ
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Configuration N and P-Channel N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V 450mOhm @ 500mA, 4.5V 400mOhm @ 700mA, 4.5V 780mOhm @ 500mA, 4.5V
Package composant fournisseur SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 220mA, 140mA 500mA, 410mA 700mA 500mA
Tension drain-source (Vdss) 25V 25V 20V 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V 50pF @ 10V 66.5pF @ 10V 85.4pF @ 10V
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de produit de base FDG6320 FDG6321 FDG6317 FDG6318
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V 2.3nC @ 4.5V 1.1nC @ 4.5V 1.62nC @ 4.5V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Puissance - Max 300mW 300mW 300mW 300mW
Séries - - PowerTrench® -

Fiche technique FDG6320C PDF

Téléchargez FDG6320C PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDG6320C - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf Mult Dev EOL 24/Dec/2021.pdf Mult Dev EOL 14/Jan/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly/Test 9/Jan/2019.pdf
Feuilles de données
FDG6320C.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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