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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxDMG5802LFX-7
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMG5802LFX-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMG5802LFX-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMG5802LFX-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Description détaillée
Emballage
6-VFDFN Exposed Pad
Fiche technique
DMG5802LFX.pdf
État RoHS
En stock: 65090

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMG5802LFX-7
Diodes Incorporated - DMG5802LFX-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMG5802LFX-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur W-DFN5020-6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Puissance - Max 980mW  
Package / Boîte 6-VFDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1066.4pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31.3nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 24V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numéro de produit de base DMG5802  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMG5802LFX-7

Attributs du produit DMG5802LFX-7 DMG4932LSD-13 DMG6301UDW-13 DMG6301UDW-7
Modèle de produit DMG5802LFX-7 DMG4932LSD-13 DMG6301UDW-13 DMG6301UDW-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tension drain-source (Vdss) 24V 30V 25V 25V
Puissance - Max 980mW 1.19W 300mW 300mW
Numéro de produit de base DMG5802 DMG4932LSD DMG6301 DMG6301
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 2.4V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31.3nC @ 10V 42nC @ 10V 0.36nC @ 4.5V 0.36nC @ 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 6-VFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A 9.5A 240mA 240mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1066.4pF @ 15V 1932pF @ 15V 27.9pF @ 10V 27.9pF @ 10V
Package composant fournisseur W-DFN5020-6 8-SO SOT-363 SOT-363
Séries - - - -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 6.5A, 4.5V 15mOhm @ 9A, 10V 4Ohm @ 400mA, 4.5V 4Ohm @ 400mA, 4.5V

Fiche technique DMG5802LFX-7 PDF

Téléchargez DMG5802LFX-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMG5802LFX-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Conception / spécification PCN
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
Feuilles de données
DMG5802LFX.pdf
Assemblage / origine PCN
Parts Removed 18/Sep/2018.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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