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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxDMG4932LSD-13
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMG4932LSD-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMG4932LSD-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMG4932LSD-13
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
DMG4932LSD.pdf
État RoHS
En stock: 4500

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMG4932LSD-13
Diodes Incorporated - DMG4932LSD-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMG4932LSD-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 9A, 10V  
Puissance - Max 1.19W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1932pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.5A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base DMG4932LSD  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMG4932LSD-13

Attributs du produit DMG4932LSD-13 DMG4822SSD-13 DMG4800LSDQ-13 DMG5802LFX-7
Modèle de produit DMG4932LSD-13 DMG4822SSD-13 DMG4800LSDQ-13 DMG5802LFX-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1932pF @ 15V 478.9pF @ 16V 798pF @ 10V 1066.4pF @ 15V
Séries - - Automotive, AEC-Q101 -
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V 10.5nC @ 10V 8.56nC @ 5V 31.3nC @ 10V
Puissance - Max 1.19W 1.42W 1.17W 980mW
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-VFDFN Exposed Pad
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 9A, 10V 20mOhm @ 8.5A, 10V 16mOhm @ 9A, 10V 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 3V @ 250µA 1.6V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.5A 10A 7.5A (Ta) 6.5A
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SOP W-DFN5020-6
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 24V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Numéro de produit de base DMG4932LSD DMG4822 DMG4800 DMG5802

Fiche technique DMG4932LSD-13 PDF

Téléchargez DMG4932LSD-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMG4932LSD-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Conception / spécification PCN
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices EOL 05/Feb/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012.pdf
Feuilles de données
DMG4932LSD.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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