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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMG4N60SJ3
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMG4N60SJ3 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMG4N60SJ3
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMG4N60SJ3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 3A TO251
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
DMG4N60SJ3.pdf
État RoHS
En stock: 4300

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMG4N60SJ3
Diodes Incorporated - DMG4N60SJ3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMG4N60SJ3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 41W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 532 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.3 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)  
Numéro de produit de base DMG4  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMG4N60SJ3

Attributs du produit DMG4N60SJ3 DMG4812SSS-13 DMG4N60SK3-13 DMG4N65CTI
Modèle de produit DMG4N60SJ3 DMG4812SSS-13 DMG4N60SK3-13 DMG4N65CTI
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 532 pF @ 25 V 1849 pF @ 15 V 532 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±12V ±30V ±30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc) 8A (Ta) 3.7A (Tc) 4A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Numéro de produit de base DMG4 DMG4812 DMG4 DMG4
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V 15mOhm @ 10.7A, 10V 2.3Ohm @ 2A, 10V 3Ohm @ 2A, 10V
Séries - - - -
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Package composant fournisseur TO-251 8-SO TO-252-3 ITO-220AB
Fonction FET - Schottky Diode (Body) - -
Dissipation de puissance (max) 41W (Tc) 1.54W (Ta) 48W (Ta) 8.35W (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 30 V 600 V 650 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.3 nC @ 10 V 18.5 nC @ 10 V 14.3 nC @ 10 V 13.5 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique DMG4N60SJ3 PDF

Téléchargez DMG4N60SJ3 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMG4N60SJ3 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices EOL 05/Feb/2019.pdf
Feuilles de données
DMG4N60SJ3.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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