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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSPD18P06PGBTMA1
SPD18P06PGBTMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SPD18P06PGBTMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
SPD18P06PGBTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-SPD18P06PGBTMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
SPD18P06PGBTMA1.pdf
État RoHS
En stock: 43340

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SPD18P06PGBTMA1
Infineon Technologies - SPD18P06PGBTMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - SPD18P06PGBTMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3  
Séries SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 13.2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18.6A (Tc)  
Numéro de produit de base SPD18P06  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies SPD18P06PGBTMA1

Attributs du produit SPD18P06PGBTMA1 SPD25N06S2-40 SPD18P06PG SPD22N08S2L-50
Modèle de produit SPD18P06PGBTMA1 SPD25N06S2-40 SPD18P06PG SPD22N08S2L-50
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc) 68W (Tc) - 75W (Tc)
Package composant fournisseur PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 - PG-TO252-3-11
Tension drain-source (Vdss) 60 V 55 V - 75 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V 710 pF @ 25 V - 850 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 13.2A, 10V 40mOhm @ 13A, 10V - 50mOhm @ 11A, 10V
Numéro de produit de base SPD18P06 SPD25N - SPD22N
Type de montage Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V - 33 nC @ 10 V
Séries SIPMOS® OptiMOS™ - OptiMOS™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18.6A (Tc) 29A (Tc) - 25A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 4V @ 26µA - 2V @ 31µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
type de FET P-Channel N-Channel - N-Channel

Fiche technique SPD18P06PGBTMA1 PDF

Téléchargez SPD18P06PGBTMA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour SPD18P06PGBTMA1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Emballage PCN
Cover Tape Width Update 17/Jun/2015.pdf Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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