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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSPD18P06P
SPD18P06P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SPD18P06P - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
SPD18P06P
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-SPD18P06P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
SPD18P06P.pdf
En stock: 4820

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SPD18P06P
Infineon Technologies - SPD18P06P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - SPD18P06P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3  
Séries SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 13.2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18.6A (Tc)  
Numéro de produit de base SPD18P  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies SPD18P06P

Attributs du produit SPD18P06P SPD15P10PLGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PG
Modèle de produit SPD18P06P SPD15P10PLGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PG
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 100 V 60 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 13.2A, 10V 200mOhm @ 11.3A, 10V 130mOhm @ 13.2A, 10V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V -
Séries SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS® -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel -
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc) 128W (Tc) 80W (Tc) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18.6A (Tc) 15A (Tc) 18.6A (Tc) -
Package composant fournisseur PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V 1490 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V -
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V -
Numéro de produit de base SPD18P SPD15P10 SPD18P06 -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 2V @ 1.54mA 4V @ 1mA -

Fiche technique SPD18P06P PDF

Téléchargez SPD18P06P PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour SPD18P06P - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 22/Feb/2008.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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