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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSPD22N08S2L-50
SPD22N08S2L-50 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SPD22N08S2L-50 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
SPD22N08S2L-50
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-SPD22N08S2L-50
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 25A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
SPD22N08S2L-50.pdf
En stock: 4340

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SPD22N08S2L-50
Infineon Technologies - SPD22N08S2L-50 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - SPD22N08S2L-50

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 31µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO252-3-11  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc)  
Numéro de produit de base SPD22N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies SPD22N08S2L-50

Attributs du produit SPD22N08S2L-50 SPD26N06S2L-35 SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PG
Modèle de produit SPD22N08S2L-50 SPD26N06S2L-35 SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PG
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Numéro de produit de base SPD22N SPD26N SPD18P06 -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Fonction FET - - - -
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ SIPMOS® -
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel -
Tension drain-source (Vdss) 75 V 55 V 60 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 11A, 10V 35mOhm @ 13A, 10V 130mOhm @ 13.2A, 10V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc) 68W (Tc) 80W (Tc) -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 31µA 2V @ 26µA 4V @ 1mA -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V 790 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc) 30A (Tc) 18.6A (Tc) -
Package composant fournisseur PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -

Fiche technique SPD22N08S2L-50 PDF

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Autres documents connexes
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Feuilles de données
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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