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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLR3714TRR
IRLR3714TRR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLR3714TRR - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLR3714TRR
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLR3714TRR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRL(R,U)3714.pdf
En stock: 4170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLR3714TRR
Infineon Technologies - IRLR3714TRR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLR3714TRR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 18A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 47W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.7 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLR3714TRR

Attributs du produit IRLR3714TRR IRLR3715Z IRLR3714ZPBF IRLR3714ZTRPBF
Modèle de produit IRLR3714TRR IRLR3715Z IRLR3714ZPBF IRLR3714ZTRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 10 V 810 pF @ 10 V 560 pF @ 10 V 560 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 18A, 10V 11mOhm @ 15A, 10V 15mOhm @ 15A, 10V 15mOhm @ 15A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.7 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 7.1 nC @ 4.5 V 7.1 nC @ 4.5 V
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.55V @ 250µA 2.55V @ 250µA 2.55V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc) 49A (Tc) 37A (Tc) 37A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 47W (Tc) 40W (Tc) 35W (Tc) 35W (Tc)

Fiche technique IRLR3714TRR PDF

Téléchargez IRLR3714TRR PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLR3714TRR - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 11/Aug/2008.pdf
Feuilles de données
IRL(R,U)3714.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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