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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLR3715TRL
IRLR3715TRL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLR3715TRL - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLR3715TRL
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLR3715TRL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRLR3715, IRLU3715.pdf
En stock: 3790

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLR3715TRL
Infineon Technologies - IRLR3715TRL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLR3715TRL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 26A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 71W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 54A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLR3715TRL

Attributs du produit IRLR3715TRL IRLR3714TRPBF IRLR3715ZPBF IRLR3715PBF
Modèle de produit IRLR3715TRL IRLR3714TRPBF IRLR3715ZPBF IRLR3715PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.55V @ 250µA 3V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 54A (Tc) 36A (Tc) 49A (Tc) 54A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 10 V 670 pF @ 10 V 810 pF @ 10 V 1060 pF @ 10 V
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 26A, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 11mOhm @ 15A, 10V 14mOhm @ 26A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 71W (Tc) 47W (Tc) 40W (Tc) 3.8W (Ta), 71W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V 9.7 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V

Fiche technique IRLR3715TRL PDF

Téléchargez IRLR3715TRL PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLR3715TRL - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRLR3715, IRLU3715.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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