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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLR3714
IRLR3714 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLR3714 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLR3714
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLR3714
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRL(R,U)3714.pdf
En stock: 3640

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLR3714
Infineon Technologies - IRLR3714 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLR3714

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 18A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 47W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.7 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLR3714

Attributs du produit IRLR3714 IRLR3714TRL IRLR3705ZPBF IRLR3714ZPBF
Modèle de produit IRLR3714 IRLR3714TRL IRLR3705ZPBF IRLR3714ZPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.55V @ 250µA
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 18A, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 8mOhm @ 42A, 10V 15mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max) 47W (Tc) 47W (Tc) 130W (Tc) 35W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.7 nC @ 4.5 V 9.7 nC @ 4.5 V 66 nC @ 5 V 7.1 nC @ 4.5 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc) 36A (Tc) 42A (Tc) 37A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 10 V 670 pF @ 10 V 2900 pF @ 25 V 560 pF @ 10 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 55 V 20 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

Fiche technique IRLR3714 PDF

Téléchargez IRLR3714 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLR3714 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRL(R,U)3714.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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