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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL8113SPBF
IRL8113SPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL8113SPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL8113SPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL8113SPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRL8113(S,L)PbF.pdf
En stock: 5030

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL8113SPBF
Infineon Technologies - IRL8113SPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL8113SPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 21A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 105A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL8113SPBF

Attributs du produit IRL8113SPBF IRL8114PBF IRL80HS120 IRL8113PBF
Modèle de produit IRL8113SPBF IRL8114PBF IRL80HS120 IRL8113PBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies onsemi
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V 29 nC @ 4.5 V 7 nC @ 4.5 V 35 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 15 V 2660 pF @ 15 V 540 pF @ 25 V 2840 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) 115W (Tc) 11.5W (Tc) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 21A, 10V 4.5mOhm @ 40A, 10V 32mOhm @ 7.5A, 10V 6mOhm @ 21A, 10V
Emballer Tube Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 105A (Tc) 90A (Tc) 12.5A (Tc) 105A (Tc)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 6-PowerVDFN TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2V @ 10µA 2.25V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 80 V 30 V
Package composant fournisseur D2PAK TO-220AB 6-PQFN (2x2) (DFN2020) TO-220AB

Fiche technique IRL8113SPBF PDF

Téléchargez IRL8113SPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL8113SPBF - Infineon Technologies.

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Feuilles de données
IRL8113(S,L)PbF.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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