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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL8113
IRL8113 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL8113 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL8113
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL8113
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRL8113.pdf
En stock: 5360

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL8113
Infineon Technologies - IRL8113 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL8113

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 21A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 105A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL8113

Attributs du produit IRL8113 IRL8113PBF IRL8113S IRL7833LPBF
Modèle de produit IRL8113 IRL8113PBF IRL8113S IRL7833LPBF
Fabricant Infineon Technologies onsemi Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 21A, 10V 6mOhm @ 21A, 10V 6mOhm @ 21A, 10V 3.8mOhm @ 38A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 15 V 2840 pF @ 15 V 2840 pF @ 15 V 4170 pF @ 15 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V 35 nC @ 4.5 V 35 nC @ 4.5 V 47 nC @ 4.5 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 105A (Tc) 105A (Tc) 105A (Tc) 150A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Fonction FET - - - -
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc) 140W (Tc)
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB D2PAK TO-262

Fiche technique IRL8113 PDF

Téléchargez IRL8113 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL8113 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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