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IRLB3034PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLB3034PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLB3034PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRLB3034PBF.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 22451

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Quantité
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Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRLB3034PBF
Infineon Technologies - IRLB3034PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLB3034PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 195A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10315 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 162 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 195A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLB3034  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLB3034PBF

Attributs du produit IRLB3034PBF IRLB3036PBF IRLB4030PBF IRL8114PBF
Modèle de produit IRLB3034PBF IRLB3036PBF IRLB4030PBF IRL8114PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10315 pF @ 25 V 11210 pF @ 50 V 11360 pF @ 50 V 2660 pF @ 15 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.25V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 162 nC @ 4.5 V 140 nC @ 4.5 V 130 nC @ 4.5 V 29 nC @ 4.5 V
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Vgs (Max) ±20V ±16V ±16V ±20V
Numéro de produit de base IRLB3034 IRLB3036 IRLB4030 -
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc) 380W (Tc) 370W (Tc) 115W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 195A (Tc) 195A (Tc) 180A (Tc) 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 195A, 10V 2.4mOhm @ 165A, 10V 4.3mOhm @ 110A, 10V 4.5mOhm @ 40A, 10V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 40 V 60 V 100 V 30 V
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB

Fiche technique IRLB3034PBF PDF

Téléchargez IRLB3034PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLB3034PBF - Infineon Technologies.

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