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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL5602STRRPBF
IRL5602STRRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL5602STRRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRL5602STRRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRL5602STRRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRL5602SPbF.pdf
En stock: 5170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL5602STRRPBF
Infineon Technologies - IRL5602STRRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRL5602STRRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 12A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1460 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRL5602STRRPBF

Attributs du produit IRL5602STRRPBF IRL60S216 IRL5602SPBF IRL60B216
Modèle de produit IRL5602STRRPBF IRL60S216 IRL5602SPBF IRL60B216
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Vgs (Max) ±8V ±20V ±8V ±20V
Séries HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™
Package composant fournisseur D2PAK PG-TO263-3 D2PAK TO-220AB
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 12A, 4.5V 1.95mOhm @ 100A, 10V 42mOhm @ 12A, 4.5V 1.9mOhm @ 100A, 10V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V 255 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V 258 nC @ 4.5 V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 60 V 20 V 60 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1460 pF @ 15 V 15330 pF @ 25 V 1460 pF @ 15 V 15570 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.4V @ 250µA 1V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc) 195A (Tc) 24A (Tc) 195A (Tc)
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 75W (Tc) 375W (Tc) 75W (Tc) 375W (Tc)

Fiche technique IRL5602STRRPBF PDF

Téléchargez IRL5602STRRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRL5602STRRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
Feuilles de données
IRL5602SPbF.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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