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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFU014PBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFU014PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFU014PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFU014PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRFR014, IRFU014, SiHFR014, SiHFU014.pdf
État RoHS
En stock: 63180

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFU014PBF
Vishay Siliconix - IRFU014PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFU014PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251AA  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 4.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.7A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFU014  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFU014PBF

Attributs du produit IRFU014PBF IRFTS8342TRPBF IRFU024 IRFU020PBF
Modèle de produit IRFU014PBF IRFTS8342TRPBF IRFU024 IRFU020PBF
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.35V @ 25µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 4.8 nC @ 4.5 V 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 4.6A, 10V 19mOhm @ 8.2A, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries - HEXFET® - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.7A (Tc) 8.2A (Ta) 14A (Tc) 14A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V 560 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Numéro de produit de base IRFU014 IRFTS8342 IRFU IRFU
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA SOT-23-6 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V 60 V 60 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2W (Ta) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-251AA 6-TSOP TO-251AA TO-251AA

Fiche technique IRFU014PBF PDF

Téléchargez IRFU014PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFU014PBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
IRFU/SIH 21/Oct/2016.pdf
Feuilles de données
IRFR014, IRFU014, SiHFR014, SiHFU014.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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