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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFS4410TRLPBF
IRFS4410TRLPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFS4410TRLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFS4410TRLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFS4410TRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFS4410TRLPBF.pdf
État RoHS
En stock: 9702

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFS4410TRLPBF
Infineon Technologies - IRFS4410TRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFS4410TRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 58A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5150 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 88A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFS4410  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFS4410TRLPBF

Attributs du produit IRFS4410TRLPBF IRFS4410ZTRLPBF IRFS450B IRFS4510PBF
Modèle de produit IRFS4410TRLPBF IRFS4410ZTRLPBF IRFS450B IRFS4510PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies onsemi Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 113 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IRFS4410 IRFS4410 IRFS450 -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 500 V 100 V
Package composant fournisseur PG-TO263-3 PG-TO263-3 TO-3PF PG-TO263-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 58A, 10V 9mOhm @ 58A, 10V 390mOhm @ 4.8A, 10V 13.9mOhm @ 37A, 10V
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 88A (Tc) 97A (Tc) 9.6A (Tc) 61A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5150 pF @ 50 V 4820 pF @ 50 V 3800 pF @ 25 V 3180 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc) 230W (Tc) 96W (Tc) 140W (Tc)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-3P-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fiche technique IRFS4410TRLPBF PDF

Téléchargez IRFS4410TRLPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFS4410TRLPBF - Infineon Technologies.

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Conception / spécification PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Material Chg 24/Nov/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Alternate Assembly Site 11/Nov/2013.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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