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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFS4510PBF
IRFS4510PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFS4510PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFS4510PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFS4510PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFS4510PBF.pdf
État RoHS
En stock: 4130

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFS4510PBF
Infineon Technologies - IRFS4510PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFS4510PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 37A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3180 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 61A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFS4510PBF

Attributs du produit IRFS4510PBF IRFS4610TRLPBF IRFS4610TRRPBF IRFS4410TRLPBF
Modèle de produit IRFS4510PBF IRFS4610TRLPBF IRFS4610TRRPBF IRFS4410TRLPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 61A (Tc) 73A (Tc) 73A (Tc) 88A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 37A, 10V 14mOhm @ 44A, 10V 14mOhm @ 44A, 10V 10mOhm @ 58A, 10V
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 190W (Tc) 190W (Tc) 200W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Package composant fournisseur PG-TO263-3 D2PAK D2PAK PG-TO263-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3180 pF @ 50 V 3550 pF @ 50 V 3550 pF @ 50 V 5150 pF @ 50 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 100µA 4V @ 100µA 4V @ 150µA

Fiche technique IRFS4510PBF PDF

Téléchargez IRFS4510PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFS4510PBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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