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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFS4410PBF
International Rectifier
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFS4410PBF - International Rectifier

Fabricant Modèle de produit
IRFS4410PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFS4410PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 88A TO263-3-2
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFS4410PBF.pdf
En stock: 4020

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFS4410PBF
International Rectifier - IRFS4410PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à International Rectifier - IRFS4410PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 58A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5150 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 88A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de International Rectifier IRFS4410PBF

Attributs du produit IRFS4410PBF IRFS450B IRFS4410TRLPBF IRFS4321PBF
Modèle de produit IRFS4410PBF IRFS450B IRFS4410TRLPBF IRFS4321PBF
Fabricant International Rectifier onsemi Infineon Technologies International Rectifier
Séries HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Emballer Bulk Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5150 pF @ 50 V 3800 pF @ 25 V 5150 pF @ 50 V 4460 pF @ 25 V
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 500 V 100 V 150 V
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc) 96W (Tc) 200W (Tc) 350W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 113 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 88A (Tc) 9.6A (Tc) 88A (Tc) 85A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA 5V @ 250µA
Package composant fournisseur PG-TO263-3-2 TO-3PF PG-TO263-3 D2PAK
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-3P-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 58A, 10V 390mOhm @ 4.8A, 10V 10mOhm @ 58A, 10V 15mOhm @ 33A, 10V

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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