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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFI3205PBF
IRFI3205PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFI3205PBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFI3205PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFI3205PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IRFI3205PBF.pdf
État RoHS
En stock: 21623

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFI3205PBF
Infineon Technologies - IRFI3205PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFI3205PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB Full-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 34A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 63W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFI3205  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFI3205PBF

Attributs du produit IRFI3205PBF IRFHS9301TRPBF IRFI1010NPBF IRFI3306GPBF
Modèle de produit IRFI3205PBF IRFHS9301TRPBF IRFI1010NPBF IRFI3306GPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 55 V 30 V 55 V 60 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc) 6A (Ta), 13A (Tc) 49A (Tc) 71A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Package composant fournisseur TO-220AB Full-Pak 6-PQFN (2x2) (DFN2020) TO-220AB Full-Pak PG-TO220 Full Pack
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V 580 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 4685 pF @ 50 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack 6-PowerVDFN TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.4V @ 25µA 4V @ 250µA 4V @ 1.037mA
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 34A, 10V 37mOhm @ 7.8A, 10V 12mOhm @ 26A, 10V 4.2mOhm @ 43A, 10V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 63W (Tc) 2.1W (Ta) 58W (Tc) 46W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base IRFI3205 IRFHS9301 - -

Fiche technique IRFI3205PBF PDF

Téléchargez IRFI3205PBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFI3205PBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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