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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFHS9301TRPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFHS9301TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFHS9301TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFHS9301TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Description détaillée
Emballage
6-PowerVDFN
Fiche technique
IRFHS9301TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 120350

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFHS9301TRPBF
Infineon Technologies - IRFHS9301TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFHS9301TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-PQFN (2x2) (DFN2020)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 7.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta)  
Package / Boîte 6-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 580 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta), 13A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFHS9301  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFHS9301TRPBF

Attributs du produit IRFHS9301TRPBF IRFI1310NPBF IRFHS8242TR2PBF IRFHS8242TRPBF
Modèle de produit IRFHS9301TRPBF IRFI1310NPBF IRFHS8242TR2PBF IRFHS8242TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta) 56W (Tc) - 2.1W (Ta)
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 6-PQFN (2x2) (DFN2020) TO-220AB Full-Pak 6-PQFN (2x2) 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 580 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 653 pF @ 10 V 653 pF @ 10 V
Numéro de produit de base IRFHS9301 IRFI1310 - IRFHS8242
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 7.8A, 10V 36mOhm @ 13A, 10V 13mOhm @ 8.5A, 10V 13mOhm @ 8.5A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V - 4.5V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 10.4 nC @ 10 V 10.4 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta), 13A (Tc) 24A (Tc) 9.9A (Ta), 21A (Tc) 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA 4V @ 250µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 6-PowerVDFN TO-220-3 Full Pack 6-PowerVDFN 6-PowerVDFN
Tension drain-source (Vdss) 30 V 100 V 25 V 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

Fiche technique IRFHS9301TRPBF PDF

Téléchargez IRFHS9301TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFHS9301TRPBF - Infineon Technologies.

Emballage PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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