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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFI1310NPBF
IRFI1310NPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFI1310NPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFI1310NPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFI1310NPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IRFI1310NPBF.pdf
État RoHS
En stock: 34301

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFI1310NPBF
Infineon Technologies - IRFI1310NPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFI1310NPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB Full-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 13A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 56W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFI1310  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFI1310NPBF

Attributs du produit IRFI1310NPBF IRFI3306GPBF IRFHS8342TRPBF IRFI3205PBF
Modèle de produit IRFI1310NPBF IRFI3306GPBF IRFHS8342TRPBF IRFI3205PBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 4685 pF @ 50 V 600 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IRFI1310 - IRFHS8342 IRFI3205
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB Full-Pak PG-TO220 Full Pack PG-TSDSON-6 TO-220AB Full-Pak
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack 6-PowerVDFN TO-220-3 Full Pack
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc) 71A (Tc) 8.8A (Ta), 19A (Tc) 64A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 56W (Tc) 46W (Tc) 2.1W (Ta) 63W (Tc)
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 1.037mA 2.35V @ 25µA 4V @ 250µA
Emballer Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 30 V 55 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 13A, 10V 4.2mOhm @ 43A, 10V 16mOhm @ 8.5A, 10V 8mOhm @ 34A, 10V

Fiche technique IRFI1310NPBF PDF

Téléchargez IRFI1310NPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFI1310NPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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